秒速赛车平台:安森美半导体已推出650

  在国家环保政策的激励下,电动汽车正日益普及。中国是世界最大的汽车市场。据Goldman Sachs报道,2016年中国电动汽车占全世界电动汽车的45%, 这一百分比到2030年可能升至60%。根据中国的“一车一桩”计划,电动汽车充电桩总数在2020年将达480万个,与现有的接近50万个相比,未来2年多内将安装430万个,其中将至少有200万个是大功率直流充电桩。安森美半导体是崭露头角的电动汽车/混合动力汽车半导体领袖,紧跟市场趋势,提供全面的高性能方案,包括超级结SuperFET IIIMOSFET、碳化硅(SiC)二极管IGBT、隔离型门极驱动器、电流检测放大器、快恢复二极管,满足电动汽车充电桩市场需求并推动创新。

  电动汽车充电桩分为交流充电桩和直流充电桩。电网中的交流电通过交流充电桩直接给车载充电器(OBC)供电,OBC 把AC转换成DC,然后通过配电箱为车内的动力电池充电。直流充电桩则包含许多AC-DC电源模块。

  目前电动汽车电池容量基本在20至90 KWH,续航里程为200至500 km,充电方式从3c到10c。续航里程是目前电动汽车不及传统燃油汽车受欢迎的一个原因,秒速赛车平台:安森美半导体已推出650 V和1200 V SiC二极管要想增加续航里程,需提升电池容量密度。另外,车主希望充电时间更短,快充技术的支持必不可少。充电桩的功率目前在60 KW到90 KW,未来将发展到150 KW到240 KW甚至更高以缩短充电时间。而电动汽车电源模块的功率目前在15 KW、20 KW、30 KW,未来会发展到40 KW、50 KW、60 KW甚至更高。从目前充电桩市场的状况来看,有3大趋势:宽范围的恒定功率、宽范围的输出电压、更高功率的模块。

  FAST版本用于硬开关拓扑,提供高能效和减小Qg和Eoss。Easy Drive版本用于硬/软开关,易驱动,实现低EMI和电压尖峰,优化内部Rg和电容。FRFET版本用于软开关拓扑,更小的Qrr和Trr实现更高的系统可靠性。

  随着充电桩功率的提升,由于SiC 提供比硅更低的开关损耗和导通损耗,大多功率器件将转向SiC二极管及FET。安森美半导体已推出650 V和1200 V SiC二极管,并即将发布 1200 V SiC MOSFET。其SiC二极管在宽温度范围具有比最好的竞争器件更低的VF,雪崩能量大,浪涌电流额定值大,从而提供卓越的强固性。

  安森美半导体为推动电动汽车充电桩创新,推出第四代场截止(FS4) 650 V IGBT和超高速(UFS) 1200 V IGBT。FS4 650 V IGBT提供业界最低的饱和压降VCE(sat)和最低的关断损耗EOFF,UFS 1200 V IGBT拥有行业内最低的开关损耗Ets和VCE(sat) ,各种不同系列涵盖所有应用,同类最佳的性能提供出色的系统能效及可靠性。

  目前在充电桩的设计中,数字芯片用得很多,数字芯片是低压侧,而功率部分是高压侧,两者间需要有隔离并需带有驱动能力。

  安森美半导体的高压门极驱动器具有比竞争器件更低的开通损耗Eon、关断损耗Eoff、导通损耗Econ,或饱和压降VCE(sat) ,集成DESAT、米勒钳位、欠压锁定、热关断等丰富的保护特性,且不同单体之间的脉宽失真和延迟变化很。

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